特許
J-GLOBAL ID：200903093980662059

半導体基板及びその製造方法

発明者：
木村 雅規

木村 雅規 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-101357
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299261
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 有害物質であるAs材料を使用することなく、あるいは使用するとしても可能な限り少なくし、シリコン結晶基板上に格子欠陥が少なく結晶性の良い化合物半導体膜をエピタキシャル成長させた半導体基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン結晶基板2上に化合物結晶層4を形成した半導体基板1であって、前記シリコン結晶基板2の表面上にSiGe結晶層3が形成され、該SiGe結晶層3の表面側が多孔質化しており、該多孔質SiGe結晶層の表面に化合物結晶層4が形成されてなるものであることを特徴とする半導体基板1及びその製造方法。
請求項（抜粋）：
シリコン結晶基板上に化合物結晶層を形成した半導体基板であって、前記シリコン結晶基板の表面上にSiGe結晶層が形成され、該SiGe結晶層の表面側が多孔質化しており、該多孔質SiGe結晶層の表面に化合物結晶層が形成されてなるものであることを特徴とする半導体基板。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  H01S 5/323
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01S 5/323
Fターム (30件)：
4G077AA03 ,  4G077BE44 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077TC13 ,  4G077TC17 ,  5F045AA04 ,  5F045AB01 ,  5F045AB12 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AD13 ,  5F045AF03 ,  5F045AF11 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DA69 ,  5F045HA02 ,  5F073AA51 ,  5F073CA04 ,  5F073CA12 ,  5F073CB04 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA28 ,  5F073DA35
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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