特許

J-GLOBAL ID：200903094003880443

半導体装置の製造方法

発明者： 入江 重夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-074959
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268321
出願日： 2004年03月16日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】 反射防止膜上にレジストパターンを形成するリソグラフィにおいて、露光により発生するアウトガスや酸によりレジストパターンの形状が劣化したり、剥離するのを防ぐと共に、下地膜からの反射を防止して矩形状のレジストパターンを再現性良く形成する。【解決手段】 リソグラフィに用いる露光光の波長における吸収率が高い第一の有機材料と、膜密度が大きく且つ光安定性が高い第二の有機材料とを含む反射防止膜4をゲート電極膜3の上に形成し、リソグラフィにより前記反射防止膜4の上にレジストパターン5aを形成する。性質の異なる二つの有機材料を含む反射防止膜4を形成することにより、露光時に反射防止膜4からアウトガスが発生するのを抑制し、且つ露光時に発生した酸がフォトレジスト膜から反射防止膜4に拡散することを防ぎ、矩形状のレジストパターンを再現性良く形成することができる。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

基板上に第一の膜を形成する工程と、 前記第一の膜の上に反射防止膜を形成する工程と、 前記反射防止膜の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、 前記フォトレジスト膜を露光および現像して前記反射防止膜の上にレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンを介して前記反射防止膜を選択的にエッチングし、前記レジストパターンの下に反射防止膜パターンを形成する工程と、 前記レジストパターンおよび前記反射防止膜パターンを介して前記第一の膜を選択的にエッチングする工程とを備え、 前記反射防止膜は、異なる性質を有する第一の有機材料および第二の有機材料を含み、前記第一の有機材料は、前記露光の露光光の波長における吸収率が相対的に高く、前記第二の有機材料は、膜密度が相対的に大きく、且つ、光安定性が相対的に高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/027 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213

FI (5件)：

H01L21/30 574 ,  G03F7/11 503 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/28 E ,  H01L21/88 D

Fターム (36件)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025DA34 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  2H025FA39 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096CA06 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  4M104BB18 ,  4M104CC05 ,  4M104DD43 ,  4M104DD62 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  5F033HH19 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ28 ,  5F033VV06 ,  5F033WW00 ,  5F033XX03 ,  5F046BA03 ,  5F046CA04 ,  5F046PA07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• レジストパターン形成方法及びそのレジストパターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-333324   出願人：株式会社東芝
• レジストプロセス及び多層レジスト膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-234262   出願人：ソニー株式会社