特許
J-GLOBAL ID：200903094008185760

半導体装置

発明者：
牛久 幸広

牛久 幸広 について

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水野 智久

水野 智久 について

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吉見 信

吉見 信 について

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寺内 衛

寺内 衛 について

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川中 繁

川中 繁 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-232506
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139325
出願日： 1995年09月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】パンチスルー現象による短チャネル効果を抑制することができると共に、素子特性を向上させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】凸形状の半導体素子領域を有する基板1と、素子領域の上面および側面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極を挟んで素子領域の上面にチャネル領域を形成するように設けられた第1の導電型のソース領域およびドレイン領域とを具備し、凸形状を有する部分の内部であって前記チャネル領域の下に形成され、チャネル領域の濃度よりも高い濃度で第2の導電型の不純物が含まれる高濃度不純物領域13を有する。
請求項（抜粋）：
凸形状の半導体素子領域を有する基板と、前記素子領域の上面および側面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を挟んで前記素子領域の上面にチャネル領域を形成するように設けられた第1の導電型のソース領域およびドレイン領域とを具備し、凸形状を有する部分の内部であって前記チャネル領域の下に形成され、前記チャネル領域の濃度よりも高い濃度で第2の導電型の不純物が含まれる高濃度不純物領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 P
引用特許：
審査官引用 (20件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-090220   出願人：川崎製鉄株式会社
  • 特開平2-125667
  • 特開平2-125667
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