特許
J-GLOBAL ID：200903094012164327
光吸収層の形成方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥井 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-402901
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188396
出願日： 2001年12月20日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【目的】 光吸収層の結晶化の不良による密着性の低下に起因する太陽電池特性の劣化を防止して、品質の良い光吸収層を形成する。【構成】 化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電極となるMo電極上にGaを含むIb族系金属元素およびIIIb族系金属元素からなるプリカーサ薄膜を形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を形成するに際して、Mo電極とプリカーサ薄膜との間にGa濃度をプリカーサ薄膜よりも低くしたIb族系金属元素およびIIIb族系金属元素からなる緩衝用薄膜を形成したうえで、その緩衝用薄膜とプリカーサ薄膜とをSe雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を形成するようにする。
請求項（抜粋）：
化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電極となるMo電極上にGaを含むIb族系金属元素およびIIIb族系金属元素からなるプリカーサ薄膜を形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を形成する方法にあって、Mo電極とプリカーサ薄膜との間にGa濃度をプリカーサ薄膜よりも低くしたIb族系金属元素およびIIIb族系金属元素からなる緩衝用薄膜を形成したうえで、その緩衝用薄膜とプリカーサ薄膜とをSe雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を形成するようにしたことを特徴とする光吸収層の形成方法。
Fターム (2件)：
引用特許：
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