特許

J-GLOBAL ID：200903094041994401

炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法

発明者： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  藤本 辰雄 ,  矢代 弘克
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  野上 敦 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-260176
公開番号（公開出願番号）：特開2004-099340
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】低欠陥大口径の単結晶炭化珪素ウェハを高歩留りで製造する方法を提供する。【解決手段】種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、種結晶として口径40mm以上を有し、{0001}面から所定のオフ角度のついた面方位の炭化珪素単結晶を用いることにより、高品質な炭化珪素単結晶ウェハを高歩留りで製造できる炭化珪素単結晶インゴットを得る。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

口径が40mm以上で、{0001}面方位から2°以上12°以下傾いた面を単結晶育成面とする炭化珪素単結晶育成用種結晶。

IPC (1件)：

C30B29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (11件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DA19 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077ED05 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-016597
  
• 炭化ケイ素の結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-050721   出願人：三洋電機株式会社
• 炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法ならびに炭化珪素単結晶育成用マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-105133   出願人：新日本製鐵株式会社
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-230279   出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所