特許

J-GLOBAL ID：200903094058109215

パターン補正方法および半導体装置の製造方法

発明者： 小林 幸子 ,  小谷 敏也 ,  田中 聡 ,  渡邉 進 ,  矢野 光浩
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-398438
公開番号（公開出願番号）：特開2003-195473
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：

【要約】【課題】 設計パターンを、簡単な処理でマスク描画や検査に適した形状にパターン補正する。【解決手段】 コンピュータにより実行されるパターン補正方法は、設計されたパターンを構成する辺のうち、所定の条件を満たす辺に対し、光近接効果を考慮した補正値を算出して第1の補正を行う。次に、所定の条件を満たさない辺に対して、前記第1の補正がされた辺のうち、この所定条件を満たさない辺に隣接する辺の補正値を用いて第2の補正を行い、先に第1の補正がされた辺の間を線分で接続する。

請求項（抜粋）：

コンピュータにより、設計されたパターンを構成する辺のうち、所定の条件を満たす辺に対し、光近接効果を考慮した補正値を算出して第1の補正を行い、前記所定の条件を満たさない辺に対し、前記第1の補正がなされた辺のうち、当該所定条件を満たさない辺に隣接する辺の補正値を用いて第2の補正を行い、前記第1の補正がされた辺の間を線分で接続することを特徴とするパターン補正方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G06F 17/50 658 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  G06F 17/50 658 M ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (3件)：

2H095BB01 ,  5B046AA08 ,  5B046BA06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• レイアウトパターンデータ補正装置及び方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びにレイアウトパターンデータ補正プログラムを記録した媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-260518   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体製造プロセスの光近接効果補正方法およびマスクデータ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-355239   出願人：日本電気株式会社
• マスクパターン補正方法及びマスクパターン作成システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-375477   出願人：株式会社東芝