特許
J-GLOBAL ID：200903094070501716
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-264973
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081011
出願日： 2005年09月13日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】導電性基板の実装面側にn電極を設けたとしても、輝度の向上が図れる半導体発光素子を提供する。【解決手段】導電性の基板2の一方の面に、n型半導体層3aと、発光層3bと、p型半導体層3cとが半導体層3として設けられ、この半導体層3にコンタクト電極4およびp電極6が設けられ、基板2の他方の面にn電極7が設けられた半導体発光素子1において、n電極7は、矩形状に形成された基板2の角部に4つ設けられたオーミック電極7aと、オーミック電極7aを覆うとともに、かつ基板2の他方の面の全面に設けられた反射電極7bとで形成されており、p電極6とオーミック電極7aとは、基板2および半導体層3を間に挟んで重ならないように形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性基板の一方の面に、n型半導体層と、発光層と、p型半導体層とが半導体層として設けられ、前記半導体層にp電極が設けられ、前記導電性基板の他方の面にn電極が設けられた半導体発光素子において、
前記n電極は、前記導電性基板の一部に設けられた1つ以上のオーミック電極と、前記オーミック電極を覆うとともに、かつ前記導電性基板の他方の面の全面に設けられた反射電極とで形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA04
, 5F041CA40
, 5F041CA82
, 5F041CA86
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
