特許
J-GLOBAL ID：200903094080447779
熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-040577
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308085
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】 ウエハボートに多数の半導体ウエハを棚状に搭載して反応管内に搬入し、反応管を囲むヒータによりウエハを加熱すると共に処理ガスを供給してウエハに例えば成膜するにあたり、高い膜厚の面内均一性を確保すること。【解決手段】 反応管1内の熱処理雰囲気を複数の領域に分割し、各分割領域の温度制御を夫々受け持つようにヒータを複数に分割する。ウエハを反応管内に搬入した後、各領域を第1のプロセス温度まで昇温させ、次いで各領域に対応する第2のプロセス温度まで移行させ、この温度移行工程において反応管内に処理ガスガスを導入してウエハに対して例えば成膜を行う。第1のプロセス温度及び第2のプロセス温度は、各領域毎に設定される。
請求項（抜粋）：
熱処理雰囲気が複数のゾーンに分割された反応容器内の各ゾーンに基板を配置し、反応容器内に処理ガスを導入して熱処理を行う熱処理方法において、複数の基板を反応容器内に搬入する工程と、前記反応容器内の各ゾーンを加熱手段により加熱して各ゾーンを当該ゾーンに対応する第1のプロセス温度まで昇温する工程と、前記複数のゾーンのうち少なくとも一のゾーンについて、当該ゾーンの第1のプロセス温度から、当該ゾーンに対応する第2のプロセス温度まで移行させる温度移行工程と、を備え、前記温度移行工程時に反応容器内に処理ガスを導入して基板に対して熱処理を行うことを特徴とする熱処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, C23C 16/46
, H01L 21/318
H01L 21/31 B
, C23C 16/46
, H01L 21/318 B
