パターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-196074
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162844
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】露光間で発生する酸の拡散あるいは失活を防止して光及び電子線露光パターンをどちらも同時に解像性と寸法制御性よく行う。【解決手段】ウェハ5上に形成され、光及び荷電ビームに対して感度を有する化学増幅型のレジストに対するパターン転写を、フォトマスクを用いた光露光と荷電ビーム露光の両者で行うパターン形成方法において、フォトマスクを用いてウェハ5の光露光を行い、ウェハ5上のレジストの第一の加熱処理を施し、第一の加熱処理の施されたウェハ5の荷電ビーム露光を行い、ウェハ5上のレジストの第二の加熱処理を施し、第二の加熱処理の施されたウェハ5の現像を行う。

請求項（抜粋）：

被処理基板上に形成され、光及び荷電ビームに対して感度を有する同一の化学増幅型のレジストに対するパターン転写を、フォトマスクを用いた光露光と荷電ビーム露光の両者で行うパターン形成方法において、前記光露光の後及び荷電ビーム露光の後にそれぞれ前記レジストの加熱処理を施すことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 502 , G03F 7/20 504 , G03F 7/38 511

FI (6件)：

H01L 21/30 502 A , G03F 7/20 502 , G03F 7/20 504 , G03F 7/38 511 , H01L 21/30 514 E , H01L 21/30 541 Z

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-153734 出願人：日本電気株式会社
特開平4-363014
特開平4-130326

全件表示

前のページに戻る