スイッチ、半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-212243
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035290
出願日： 2005年07月22日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】 CMOS回路と混載でき、なおかつ、機械的にも電気的にも信頼性の高い接点を持つMEMSスイッチを実現することを目的としている。【解決手段】 MEMSスイッチを構成する可動部1と、これに対向する固定部2の接触面にCMOSプロセスと親和性の高い絶縁膜3を形成する。スイッチを使用する際には、駆動部4と可動部1に電圧を印加して可動部1を動かす。そして、可動部1と固定部2とを接触させた後、絶縁膜3の破壊電界強度を超える電圧を絶縁膜3に印加し、絶縁破壊を起こす。このように絶縁膜3を一度改質することで、スイッチ接点の機械な疲労集中箇所を保護し、なおかつ、絶縁破壊によって形成された電流経路を通じて電気的な信号を伝達する接点を実現する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

可動部と固定部とを備え、前記可動部と前記固定部とを接触させるスイッチであって、前記可動部と前記固定部との接触面に形成された絶縁膜を有し、前記絶縁膜は、絶縁破壊によって改質されることにより、電流経路が形成されていることを特徴とするスイッチ。

IPC (5件)：

H01H 1/06 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , B81B 3/00 , B81C 1/00

FI (4件)：

H01H1/06 L , H01L27/06 102A , B81B3/00 , B81C1/00

Fターム (9件)：

5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BF01 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF16 , 5G051AC01 , 5G051AC40

引用特許：

出願人引用 (1件)

電気接点
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-238211 出願人：オムロン株式会社

審査官引用 (5件)

電磁リレー
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-135719 出願人：富士電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-196112 出願人：株式会社東芝
マイクロマシンスイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-321974 出願人：日本電気株式会社

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