特許
J-GLOBAL ID：200903094126158769

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者：
枝村 学

枝村 学 について

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土居 昭

土居 昭 について

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荒井 雅嗣

荒井 雅嗣 について

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吉岡 健

吉岡 健 について

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坪根 恒彦

坪根 恒彦 について

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金井 三郎

金井 三郎 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-341367
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173985
出願日： 1998年12月01日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】大型の絶縁材を使用する上でのコストとプラズマ生成効率の問題、また内壁の温度と表面反応の制御の問題を解決し、コストが低く、より安定したプラズマ処理を実現する。【解決手段】処理チャンバ自体をアルミニウム,ステンレス,シリコン,カーボン等の導電性材料によって製造し、誘導コイルを横切るように、小窓あるいはスリットを設け、この部分は、Oリング等を介して、石英やアルミナセラミック等の絶縁材によってシールする。
請求項（抜粋）：
処理チャンバと、前記処理チャンバへの処理用のガスの導入手段および排気手段と、前記処理チャンバに設けられ被処理物を載置するステージと、前記処理チャンバ内へ導入した処理用ガスのプラズマを発生させるための高周波電力供給手段と、前記電力供給手段に接続され前記処理チャンバの外側に設けられた誘導コイルを備えたプラズマ処理装置において、前記処理チャンバが導電性材料によって作られ、かつ前記誘導コイルを横切るように少なくとも一つの絶縁材料からなる小窓を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 14/34 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46
FI (6件)：
H01L 21/302 B ,  C23C 14/34 T ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 B
Fターム (47件)：
4K029BD01 ,  4K029DA00 ,  4K029DA01 ,  4K029DA08 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029EA09 ,  4K029FA04 ,  4K029FA05 ,  4K057DA01 ,  4K057DA16 ,  4K057DD01 ,  4K057DG14 ,  4K057DG15 ,  4K057DM17 ,  4K057DM18 ,  4K057DM21 ,  4K057DM28 ,  4K057DM39 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB12 ,  5F004BB13 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045BB14 ,  5F045DP02 ,  5F045EB03 ,  5F045EB06 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH11 ,  5F045EH19 ,  5F045EH20 ,  5F045EK06 ,  5F045GB15
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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