特許

J-GLOBAL ID：200903094127577587

強誘電体キャパシタおよびその製造方法

発明者： 猪股 大介
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-023638
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223662
出願日： 1999年02月01日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 優れたヒステリシス特性,残留分極飽和特性,疲労特性,および耐還元性を有する強誘電体キャパシタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 強誘電体キャパシタ1は,Si基板100,SiO2層200,IrO2層10,Ti層20,Pt層30,PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)層35,およびIrO2層40から成るものである。Pt層30が形成されたところで,電気炉において,約350°C,約15分間の熱処理を行う。この熱処理によって,Ti層20を構成するTiがPt層30の表面,すなわち後にPZT層35が形成される面にまで熱拡散する。Pt層30の表面に拡散したTiは,PZT層35における余剰Pbと反応して,比較的結晶化温度の低いチタン酸鉛PbTiO3が形成される。

請求項（抜粋）：

強誘電体層,一の電極,および他の電極を有する強誘電体キャパシタであって,前記強誘電体層は,チタン酸ジルコン酸鉛から構成され,前記一の電極は,Pt層とTi層とが積層されたPt/Ti積層を含む,ことを特徴とする,強誘電体キャパシタ。

IPC (8件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Fターム (9件)：

5F001AA17 ,  5F001AG30 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ17 ,  5F083JA02 ,  5F083PR34 ,  5F083PR47 ,  5F083PR48 ,  5F083PR49

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 強誘電体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-167525   出願人：シャープ株式会社
• 電子デバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-104146   出願人：三菱電機株式会社
• 強誘電性メモリ回路の形成方法及び強誘電性コンデンサの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-035838   出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション