特許
J-GLOBAL ID：200903094151231187
プラズマCVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-128995
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335563
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 プラズマCVD装置でクリーニング時に反応容器内の部品に損傷を与えないのでクリーニングができ、安価で且つ少ない発塵量でウエハの成膜を可能にすること。【構成】 真空排気系2を有する反応容器1内に反応ガスを導入し、互いに平行配置したウエハステージ4と高周波電極3間に印加される高周波電圧によってプラズマを発生させ、ウエハステージ4に載置されたウエハを成膜するプラズマCVD装置において、反応容器1と連通するクリーニングガス導入系6と、クリーニングガス導入系6にクリーニングガス9の活性化手段7,8を設けた。
請求項（抜粋）：
真空排気系を有する反応容器内に反応ガスを導入し、互いに平行配置したウエハステージと高周波電極間に印加される高周波電圧によってプラズマを発生させ、上記ウエハステージに載置されたウエハを成膜するプラズマCVD装置において、上記反応容器と連通するクリーニングガス導入系と、上記クリーニングガス導入系にクリーニングガスの活性化手段を備えていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/50
, C23F 4/00
