特許
J-GLOBAL ID:200903094152548079

窒化アルミニウム焼結体とそれを用いた回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-276927
公開番号(公開出願番号):特開平11-116338
出願日: 1997年10月09日
公開日(公表日): 1999年04月27日
要約:
【要約】【課題】高熱伝導率でしかも高強度であり、しかも靱性にも優れている半導体搭載用の回路基板に好適な窒化アルミニウム焼結体を提供する。【解決手段】酸化イットリウムを2.0〜4.5重量%、フッ化イットリウムを0.5〜1.5重量%及び炭素を0〜0.5重量%含有してなる窒化アルミニウム粉末を、成形し、焼成してなり、密度が3.25g/cm3 以上で、窒化アルミニウムの平均粒子径が2.0〜4.5μmである窒化アルミニウム焼結体。
請求項(抜粋):
酸化イットリウムを2.0〜4.5重量%、フッ化イットリウムを0.5〜1.5重量%及び炭素を0〜0.5重量%含有してなる窒化アルミニウム粉末を、成形し、焼成してなることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。
IPC (2件):
C04B 35/581 ,  H05K 1/03 610
FI (2件):
C04B 35/58 104 H ,  H05K 1/03 610 E
引用特許:
審査官引用 (5件)
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