特許
J-GLOBAL ID：200903094160247509

半導体メモリ

発明者：
徳田 君仁

徳田 君仁 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087622
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285671
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 描画データの書き込み速度を向上させ、プリンタの印字速度を向上させることのできる半導体メモリを提供する。【解決手段】 メモリセルアレイ1とデータ入力バッファ3及びデータ出力バッファ4の間には、メモリセルアレイ1のメモリセルへの書き込みを制御する演算制御回路2が設けられている。演算制御回路2は、リードサイクル時に、/ORE信号又はANDE信号、WE信号の各信号が活性化されているとき、メモリセルアレイ1の書き込み対象のメモリセル内のデータと、書き込みデータとのOR論理及びAND論理をとり、その結果に基づいてデータ入力バッファ3ァからメモリセルアレイ1へのデータの書き込みを行う。
請求項（抜粋）：
所定数のメモリセルを備えて列方向及び行方向のデコーダが行われるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイに書き込まれるデータが一時的に記憶されるデータ入力記憶手段と、前記メモリセルアレイの書き込み対象のメモリセルから読み出したデータとデータの書き込みに関するイネーブル信号を参照し、これらの信号状態に応じて前記書き込み対象のメモリセルにデータの書き込みを行う演算制御手段を備えたことを特徴とする半導体メモリ。
IPC (2件)：
G11C 11/401 ,  G11C 16/02
FI (3件)：
G11C 11/34 371 E ,  G11C 11/34 371 H ,  G11C 17/00 601 T
Fターム (6件)：
5B024AA15 ,  5B024BA25 ,  5B024CA13 ,  5B025AA07 ,  5B025AD04 ,  5B025AE05
引用特許：
審査官引用 (2件)

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