特許

J-GLOBAL ID：200903094170565819

受光領域が拡張されたイメージセンサ及びその製造方法

発明者： 朴 祥 均
出願人/特許権者： マグナチップセミコンダクター有限会社
代理人 (3件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  松本 公雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-376976
公開番号（公開出願番号）：特開2006-191081
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】イメージセンサチップに占める受光領域を最大限確保することができるイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】第1基板(101)に配置された受光素子と第2基板(200)に配置された周辺回路とが、3次元構造に集積されたイメージセンサであって、第1基板(101)及び第2基板(200)が、それぞれの前面に配置されたボンディングパッド(111A〜111C、206A〜206C)を介して接合され、前記第1基板(101)の背面の最上部にマイクロレンズ(114)を備える。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1基板に配置された受光素子と第2基板に配置された周辺回路とが、3次元構造に集積されて形成されたイメージセンサであって、 前記第1基板及び前記第2基板が、それぞれの前面に配置されたボンディングパッドを介して接合され、 前記第1基板の背面の最上部にマイクロレンズを備えることを特徴とするイメージセンサ。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L27/14 D ,  H01L27/14 F ,  H01L31/10 A

Fターム (29件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118BA19 ,  4M118CA03 ,  4M118DD04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GB11 ,  4M118GB17 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049NA20 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049QA03 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049RA10 ,  5F049SS06 ,  5F049SS08 ,  5F049SS10 ,  5F049SZ12 ,  5F049TA12 ,  5F049TA13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 3次元画像処理装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-160330   出願人：小柳光正, 富士ゼロックス株式会社
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-144886   出願人：ソニー株式会社