特許
J-GLOBAL ID：200903097067035967
固体撮像装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-144886
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338615
出願日： 2002年05月20日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板を極端に薄型化することなく、製造の容易な裏面入射型CMOSイメージセンサを実現する。【解決手段】 フォトダイオードや読み出し回路(n型領域750、n+型領域760)等を設けたエピタキシャル基板710の第1面(表面)に配線層720を設け、第2面(裏面)に受光面を設けた裏面入射型のCMOSイメージセンサにおいて、フォトダイオード及びその周囲のP型ウェル領域740を基板裏面(受光面)に到達しない層構造で配置し、かつ、基板710中に電場を形成して基板裏面(受光面)から入射した電子をフォトダイオードに適正に誘導するようにした。電場は、エピタキシャル基板710の深さ方向に不純物濃度の勾配を付けることで実現する。あるいは、裏面電極810、840を設けて通電することでも実現できる。
請求項（抜粋）：
それぞれ光電変換素子とその読み出し回路を含む複数の画素を2次元アレイ状に配列して構成される撮像画素部を形成した半導体基板と、前記撮像画素部の駆動用信号線を含む複数層の配線を前記半導体基板の第1面に積層して形成される配線層とを有し、前記半導体基板の第2面を前記光電変換素子の受光面として形成した固体撮像装置であって、前記半導体基板に深さ方向の電場を発生させることにより、前記半導体基板の受光面から入射した光電子を前記半導体基板の第1面側に形成された光電変換素子に誘導する電場生成手段を設けた、ことを特徴とする固体撮像装置。
Fターム (22件)：
4M118AA01
, 4M118AA05
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA09
, 4M118CB14
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118EA20
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 4M118FA42
, 4M118GA02
, 4M118GB04
, 4M118GB07
, 4M118GB11
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 4M118HA31
審査官引用 (6件)
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特開昭58-094281
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固体撮像装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-158023
出願人：富士通株式会社
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特開平1-274468
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