特許

J-GLOBAL ID：200903094186511263

Nd3Ga5SiO14単結晶の製造方法

発明者： 福田 承生 ,  佐藤 淳
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 三澤 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-268884
公開番号（公開出願番号）：特開平11-106295
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、良好な結晶品質を有するNd3Ga5SiO14単結晶の製造方法を提供することである。【解決手段】 ルツボ2にNd3Ga5SiO14単結晶の原料を収容し、RF電流供給源11から高周波誘導コイル1に高周波電流を供給してルツボ2を誘導加熱し、Nd3Ga5SiO14単結晶の原料を融解して融液3とし、融液3を所定温度に維持する。また、アルゴンに2vol%の酸素を混入した雰囲気をチャンバー14内に形成する。さらに、引き上げ駆動装置10により引き上げ軸7を下げ、引き上げ軸7の下端に取り付けた種子結晶5のZ方位を融液3にその液面に垂直に引き上げ方向と一致するようにつける。その後に、引き上げ軸7を回転させながら2.8mm/h以下の育成速度で種子結晶5を引き上げる。

請求項（抜粋）：

Nd3Ga5SiO14単結晶をCz法によって製造するNd3Ga5SiO14単結晶の製造方法において、Nd3Ga5SiO14単結晶の育成速度が2.8mm/時間以下であることを特徴とするNd3Ga5SiO14単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/28 ,  C30B 15/20 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24

FI (4件)：

C30B 29/28 ,  C30B 15/20 ,  H01L 41/18 101 A ,  H01L 41/22 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ランガサイト・ウェファーおよびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-539488   出願人：ラフィダ・ディベロップメンツ・インコーポレーテッド
• 希土類珪酸塩単結晶の育成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-230224   出願人：日立化成工業株式会社