特許

J-GLOBAL ID：200903094198312282

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 両澤 克彦 ,  大谷 智彦
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302673
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139335
出願日： 1994年11月14日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 駆動回路の薄膜トランジスタと画素部の薄膜トランジスタとが共に良好な電気的特性を有し、しかも工程数の少ない、薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】 ガラス基板1上に形成したa-Si膜の駆動回路形成領域Aにレーザ照射を行ってポリシリコン膜4を形成し、画素形成領域Bのa-Si膜に水素イオンをイオン注入することにより、a-Si:H膜5を形成する。このように、駆動回路形成領域Aの半導体層をポリシリコン膜4で形成し、画素形成領域Bの半導体層をa-Si:H膜5で形成することにより、駆動用薄膜トランジスを高移動度のTFTにし、画素用薄膜トランジスを液晶駆動に必要なオン・オフ電流比の大きなスイッチングが得られるa-Si:H/TFTにすることができる。

請求項（抜粋）：

基板の駆動回路形成領域にポリシリコン薄膜トランジスタを形成し、前記基板の画素形成領域にアモルファスシリコン薄膜トランジスタ形成する、薄膜トランジスタの製造方法において、前記基板の前記駆動回路形成領域と前記画素形成領域とに実質的に、水素を含有しないアモルファスシリコン薄膜を形成し、前記駆動回路形成領域の前記アモルファスシリコン薄膜をアニールしてポリシリコン薄膜にし、その後、前記画素形成領域のアモルファスシリコン薄膜に水素を導入することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-045162
  
• 特開平2-234440
  
• 薄膜基板とその製造方法および薄膜基板上に形成された薄膜トランジスタとその製造方法及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-122576   出願人：三菱電機株式会社, 旭硝子株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-179502   出願人：株式会社東芝