特許
J-GLOBAL ID：200903094205869875

分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
室谷 義治

室谷 義治 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207077
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036192
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 導波路の等価屈折率が異なる場合にも、単一モード特性が極端に劣化することを防止でき、高出力時においても、ホールバーニングの影響によるブラッグ発振条件が変化に起因するモード飛びを防止することができる分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 レーザ素子は、伝送用信号光を送信するレーザ素子前方側(レーザ素子内位置0)で結合係数κを小さくした低κ領域9と、監視用信号光を得るレーザ素子後方側(レーザ素子内位置L)で結合係数κを大きくした高κ領域10とが形成されており、結合係数κが、素子前方から後方へかけて連続して変化するように形成され、位相シフト位置で結合係数がκ1からκ2に急激に変化する従来例に比べて、高い単一モード安定性と高出力特性を有する分布帰還型半導体レーザが高歩留りで製造でき、高出力時および高速変調時においても安定した単一モード発振が実現される。
請求項（抜粋）：
共振器構造を有するレーザ素子の該レーザ素子前方側から伝送用信号光を出力するとともに、前記レーザ素子後方側から監視用信号光を出力する分布帰還型半導体レーザであって、前記レーザ素子の中央より前記レーザ素子後方側の位置に位相シフトを有し、前記レーザ素子前方側から前記レーザ素子後方側にかけて結合係数が連続的に大きくなっている回折格子が形成されていることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
Fターム (5件)：
5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (4件)
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