特許

J-GLOBAL ID：200903094236808688

半導体装置

発明者： 美濃 美子
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-288505
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142533
出願日： 1993年11月17日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】TAB実装工程に至るまで、AlもしくはAlの合金膜で構成されたゲート実装電極面の汚染を防止すること。【構成】AlもしくはAlの合金膜で構成され、外部に引出されたゲート側の実装電極3a上の周囲に、電気化学的手法による陽極酸化膜19を形成し、さらに電極3a面に絶縁膜4を形成して実装電極3a上を保護している。そして、TAB電極とTFT実装電極との電気的接続は、TAB熱圧着によって異方膜14中の接続粒子15が電極3a表面の絶縁被膜4を貫通することで得る。TAB接続部以外の実装電極部は、陽極酸化膜19および絶縁膜4で保護し湿中環境による腐食を防止させる。

請求項（抜粋）：

基板の一主面上に第1の導電体層が選択的に被着形成され、半導体層が絶縁薄膜層を介して前記第1の導電体層と一部重なり合うように形成され、第2の導電体層が前記半導体層と直接または第3の導電体層を介して電気的に接続されるように一部重なりを持って形成され、さらに、信号入力用外部引出し電極が前記第1、第2の導電体層で構成されている半導体装置において、前記引出し電極の全部又は一部の面には絶縁保護膜が形成され、その厚さは、実装接続の際利用される導電部材の接続工程において、貫通する程度の厚さであることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/60 311 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 29/78 311 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法並びに液晶表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-011659   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭63-128393
  
• 電極接続構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-045854   出願人：株式会社リコー
• 特開昭63-128393