特許

J-GLOBAL ID：200903094242018788

半導体装置の製造方法及びその評価方法

発明者： 濱田 誠 ,  庄野 健
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-047224
公開番号（公開出願番号）：特開平7-260867
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 任意のサイズ、任意の数の素子からなる半導体装置に於ける特性を評価する為に、各素子に形成されているゲート酸化膜の信頼性を短時間に効率的に評価する事が出来るシミュレーション方法を提供する。【構成】 トランジスタが形成された半導体装置に於いて、ゲート酸化膜の絶縁破壊に影響を与える要因である、ゲートの面積部分9、ゲート・バーズビーク部分10及び LOCOS・バーズビーク部分11の形状をそれぞれ独立したパラメータとして取り扱うことが可能な様に、当該各部分が可変な形状に形成した半導体装置の特性評価ゲートパターン1。

請求項（抜粋）：

基板上にトランジスタが形成された半導体装置に於いて、前記トランジスタのゲートの面積部分、ゲート・バーズビーク部分及び LOCOS・バーズビーク部分の形状をそれぞれ独立したパラメータとして取り扱うことが可能な様に、当該各部分が可変である事を特徴とする半導体装置の特性評価パターン。

IPC (4件)：

G01R 31/12 ,  G01R 31/16 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/76 M ,  H01L 21/94 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-309204   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平3-152483
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-006213   出願人：株式会社日立製作所