特許

J-GLOBAL ID：200903094260930087

H2Sクラッキングセル、それを用いた硫化物の製造方法、無機EL素子の製造方法および無機EL素子

発明者： 矢野 義彦 ,  大観 光徳 ,  田中 省作
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-367759
公開番号（公開出願番号）：特開2002-173307
出願日： 2000年12月01日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、硫黄の組成制御性に優れ効率的にかつ制御性よく安定に供給することが薄膜形成装置とそれを用いた硫化物、特に硫化物系蛍光体の製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも硫化水素流の入り口とその硫化水素流の加熱装置および水素からなるガス種の吸収装置とを備えたH2Sクラッキングセルにより硫黄元素を供給する薄膜形成装置とする。

請求項（抜粋）：

硫化水素流の導入口と、その硫化水素流の加熱分解装置およびH元素のみからなるガス種の吸収装置とを備えたことを特徴とするH2Sクラッキングセル。

IPC (7件)：

C01B 17/04 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/56 CPC ,  C23C 14/06 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (7件)：

C01B 17/04 M ,  C09K 11/00 A ,  C09K 11/08 A ,  C09K 11/56 CPC ,  C23C 14/06 D ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 Z

Fターム (23件)：

3K007AB02 ,  3K007AB04 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DA05 ,  3K007DB01 ,  3K007DB02 ,  3K007DC04 ,  3K007EA02 ,  3K007EC01 ,  3K007EC04 ,  3K007FA01 ,  4H001CA01 ,  4H001CF01 ,  4H001XA16 ,  4H001XA38 ,  4H001YA58 ,  4K029BA51 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA02 ,  4K029DB21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭52-052173
  
• EL素子発光層用ターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-209871   出願人：旭化成工業株式会社
• 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-195323   出願人：旭化成工業株式会社