特許
J-GLOBAL ID：200903071119002710
半導体ウェハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-320869
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154655
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】 面取り形状が平坦化工程で失われるのを防止する半導体ウェハの製造方法を提供する。【解決手段】 半導体インゴットを切断してスライスドウェハ1aを得る。スライスドウェハ1aの表裏両面を第1次両頭研削により平坦化加工し、凹凸12aを除去する。凹凸12aを除去したスライスドウェハ1aの表裏両面に第2次両頭研削を施す。平坦加工されたウエハ1bの裏面を吸着して、その外周部11bを面取り加工する。面取りされたウェハ1cの表面をエッチングする。
請求項（抜粋）：
半導体インゴットを切断して得られたスライスドウェハを加工して半導体ウェハを製造するにあたり、切断された該スライスドウェハを平坦化加工した後に、その外周部を面取りすることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 311
, H01L 21/304 301
H01L 21/304 311 A
, H01L 21/304 301 B
