特許
J-GLOBAL ID：200903094280094749

アモルファス膜の結晶化方法および薄膜トランジスタ

発明者：
前川 真司

前川 真司 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-199167
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097710
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 高品質の結晶を形成することができる、制御された結晶化方法を提供する。【解決手段】 アモルファス膜の結晶化方法は、アモルファス膜の層を堆積させる工程と、該アモルファス膜の選択領域の上に接するように連続性遷移金属膜の層を堆積させる工程とを含んでいる。連続性遷移金属膜の下にあるアモルファス膜の選択領域が使われて連続性遷移金属半導体化合物膜を形成するように、堆積されたアモルファス膜と連続性遷移金属膜とがアニールされる。さらにアニールを施して、アモルファス膜の少なくとも一部分を多結晶膜に変える。連続性遷移金属膜の選択的配置によって結晶成長フロントは制御される。
請求項（抜粋）：
リーク電流の小さい薄膜トランジスタの形成における、アモルファス膜の結晶化方法であって、(a)第1の膜厚を有するアモルファス膜の層を堆積させる工程と、(b)該アモルファス膜の選択領域の上に接するように、第2の膜厚を有する連続性遷移金属膜の層を堆積させる工程と、(c)該連続性遷移金属膜の下にある、該アモルファス膜の該選択領域が使われて連続性遷移金属半導体化合物膜を形成するように、該工程(a)および(b)で堆積された該膜をアニールする工程と、(d)アニールを施して、該アモルファス膜の少なくとも一部分を多結晶膜に変える工程とを包含し、該連続性遷移金属膜の選択的配置により、結晶成長フロントを制御する、方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20
FI (2件)：
H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM