特許
J-GLOBAL ID:200903094289947850

薄膜形成方法およびその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋山 敦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-346886
公開番号(公開出願番号):特開2002-155353
出願日: 2000年11月14日
公開日(公表日): 2002年05月31日
要約:
【要約】【課題】 本発明の目的は、ドライプロセスのみによる単純化された工程で、真空を破ることなく、有機物ハードコート膜と光学薄膜とを連続して堆積することが可能な薄膜形成方法およびその装置を提供することにある。【解決手段】 本発明は、プラスチック基板6a上に、基板6aよりも硬度の高い有機物ハードコート膜を形成する薄膜形成方法であって、基板6aを、真空槽S2内に導入する基板真空槽導入工程と、真空槽S2内において、真空中で蒸着することにより、基板6a上に、有機物を堆積させて、ハードコート膜を形成する真空蒸着工程と、該真空蒸着工程と同時にまたは前記真空蒸着工程に連続して、ハードコート膜を硬化させる硬化工程と基板6aを、前記真空槽S2から大気中に取り出す基板取出工程と、を順次行う。
請求項(抜粋):
真空槽内で、プラスチック基板上に、該プラスチック基板よりも硬度の高い有機物ハードコート膜を形成する方法であって、前記基板を、前記真空槽内に導入する基板真空槽導入工程と、前記真空槽内において、真空中で蒸着することにより、前記基板上に、有機物を堆積させて、前記ハードコート膜を形成する真空蒸着工程と、該真空蒸着工程と同時にまたは前記真空蒸着工程に連続して、前記ハードコート膜を硬化させる硬化工程と、該硬化工程で得られたハードコート膜が形成された基板を、前記真空槽から大気中に取り出す基板取出工程と、を備えることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (6件):
C23C 14/12 ,  C08J 7/04 CER ,  C08J 7/04 CEZ ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/58 ,  C08L101:00
FI (7件):
C23C 14/12 ,  C08J 7/04 CER K ,  C08J 7/04 CEZ K ,  C23C 14/24 N ,  C23C 14/58 C ,  C23C 14/58 B ,  C08L101:00
Fターム (32件):
4F006AA02 ,  4F006AA22 ,  4F006AA35 ,  4F006AA36 ,  4F006AB24 ,  4F006AB64 ,  4F006BA01 ,  4F006BA02 ,  4F006DA01 ,  4F006EA03 ,  4K029AA11 ,  4K029BA03 ,  4K029BA07 ,  4K029BA42 ,  4K029BA43 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BA50 ,  4K029BA51 ,  4K029BA62 ,  4K029BB02 ,  4K029BC00 ,  4K029BC02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029CA11 ,  4K029DA01 ,  4K029DB13 ,  4K029DB18 ,  4K029GA00 ,  4K029GA03
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る