特許
J-GLOBAL ID：200903094317681240
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-270363
公開番号（公開出願番号）：特開2007-076986
出願日： 2005年09月16日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】溶液成長法により、高い成長速度で良質なSiC(SiC)単結晶を製造する方法を提供する。 【解決手段】SiとTiとM(M:Co、MnまたはAlのいずれか一種)とCとを含み、SiとTiとMの原子比が、SixTiyMzなる式で表して、MがCoまたはMnの場合は、0.17≦y/x≦0.33、かつ0.90≦(y+z)/x≦1.80、MがAlの場合は0.17≦y/x≦0.33、かつ0.33≦(y+z)/x≦0.60、を満たす融液に、SiC成長用の種結晶基板を接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺における前記融液の過冷却により融液に溶解しているSiCを過飽和状態とすることによって、前記種結晶基板上にSiC単結晶を成長させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
SiとTiとM(M:Coおよび/またはMn)とCとを含み、SiとTiとMの原子比が、SixTiyMzなる式で表して、0.17≦y/x≦0.33かつ0.90≦(y+z)/x≦1.80を満たす融液に、SiC成長用の種結晶基板を接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺における前記融液の過冷却により融液に溶解しているSiCを過飽和状態とすることによって、前記種結晶基板上にSiC単結晶を成長させることを特徴とする、SiC単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 9/10
, H01L 21/208
C30B29/36 A
, C30B9/10
, H01L21/208 D
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077CC04
, 4G077EC08
, 4G077HA01
, 4G077HA05
, 5F053AA03
, 5F053AA25
, 5F053AA45
, 5F053BB04
, 5F053DD02
, 5F053GG01
, 5F053HH04
