特許

J-GLOBAL ID：200903061074646659

炭化珪素単結晶とその製造方法

発明者： 楠 一彦 ,  宗藤 伸治 ,  亀井 一人
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-105567
公開番号（公開出願番号）：特開2004-002173
出願日： 2003年04月09日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】マイクロパイプ欠陥を含まない、格子欠陥の少ない良質な炭化珪素バルク単結晶を、2000°C以下の融液温度で、高い成長速度で製造する。【解決手段】SiとCとM(M:MnまたはTiの一方)とを含み、SiとMの原子比が、Si1-xMxなる式で表して、MがMnである場合は0.1≦x≦0.7、MがTiである場合は0.1≦x≦0.25である合金の融液から種結晶基板上に単結晶を成長させる。融液が未溶解Cを含有しないように、Cは融液を収容する黒鉛坩堝からの溶解により供給することが好ましい。結晶成長は、種結晶基板を融液に浸漬した後に融液を冷却するか、または融液に温度勾配を設けて、その低温部に種結晶基板を浸漬することにより実施することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

マイクロパイプ欠陥が存在しない炭化珪素バルク単結晶。

IPC (2件)：

C30B29/62 ,  C30B19/00

FI (2件)：

C30B29/62 K ,  C30B19/00 Z

Fターム (11件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077EC08 ,  4G077EH07 ,  4G077GA02 ,  4G077GA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA26 ,  4G077QA38

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-217724   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
• 単結晶製造方法及びその単結晶製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-200610   出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
• SiC単結晶およびその成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-251575   出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社
• 炭化硅素結晶の液相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-288946   出願人：三菱電線工業株式会社
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-072033   出願人：株式会社日立製作所