特許

J-GLOBAL ID：200903094378675529

窒化物半導体素子

発明者： 三木 修 ,  岡 武史 ,  野中 満宏
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-273034
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172568
出願日： 2003年07月10日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】 接触抵抗が低減された対向電極構造の窒化物半導体素子を提供することを本発明の目的とする。【解決手段】 対向電極構造である窒化物半導体素子であって、窒化物半導体のn極性を示す面には、少なくとも(000-1)面以外の傾斜面を有し、且つ電極を形成している。また、前記窒化物半導体のn極性を示す面は凹凸段差を有する。さらに前記(000-1)面以外の傾斜面は、凹凸段差の段差側面に形成されている。前記(000-1)面以外の傾斜面は、(000-1)面からのオフ角が0.2°以上90°以下である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

対向電極構造である窒化物半導体素子であって、 窒化物半導体のn極性を示す面には、少なくとも(000-1)面以外の傾斜面を有し、且つ電極を形成していることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (1件)：

H01S5/323

FI (1件)：

H01S5/323 610

Fターム (13件)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA47 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB23 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-098654   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-363030   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体基板および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-145199   出願人：ソニー株式会社