特許
J-GLOBAL ID：200903083695124277

窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
小崎 徳也

小崎 徳也 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-363030
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261014
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【目的】 結晶性の良い窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板を用い裏面に電極を形成した発光素子、受光素子等の窒化物半導体素子を提供する。【構成】窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に、窒化物半導体を100μm以上の膜厚で成長させ、前記基板を除去することによって得られた窒化物半導体基板であり、該窒化物半導体基板の表面の凹凸差が±1μm以下になるまで表面研磨した研磨面に成長される。好ましくは、前記表面の凹凸差が±0.5μm以下である。前記窒化物半導体基板はn型不純物がドープされている。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に、窒化物半導体を100μm以上の膜厚で成長させ、前記基板を除去することによって得られた窒化物半導体基板であり、該窒化物半導体基板の表面の凹凸差が±1μm以下になるまで表面研磨した研磨面に成長されたことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
H01L 21/20 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (60件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA13 ,  5F045CB10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DA62 ,  5F045DP07 ,  5F045DQ08 ,  5F045EB15 ,  5F045GH09 ,  5F045HA16 ,  5F052JA07 ,  5F052JA08 ,  5F052JA09 ,  5F052KA02 ,  5F052KA03 ,  5F052KA05
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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