特許

J-GLOBAL ID：200903097374157140

半導体基板および半導体装置

発明者： 森田 悦男 ,  池田 昌夫 ,  河合 弘治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-145199
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335750
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 平坦で光学的に優れた良好な劈開面を容易に得ることができることにより、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造に用いて好適な半導体基板およびこの半導体基板を用いた半導体レーザを提供する。【解決手段】 ウルツ鉱型結晶構造を有する窒化物系III-V族化合物半導体からなり、かつ、{0001}面にほぼ垂直な面、例えば{01-10}面、{11-20}面またはこれらの面から±5°以内オフしている面を主面とする半導体基板、例えばGaN基板1を用い、その上にレーザ構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層をエピタキシャル成長させる。共振器端面を形成するには、GaN基板1をその上の窒化物系III-V族化合物半導体層とともに劈開容易面である{0001}面に沿って劈開する。

請求項（抜粋）：

ウルツ鉱型結晶構造を有する窒化物系III-V族化合物半導体からなり、かつ、{0001}面にほぼ垂直な面を主面とすることを特徴とする半導体基板。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  C30B 29/38

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  C30B 29/38 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 結晶製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-051540   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-016586   出願人：株式会社日立製作所