特許

J-GLOBAL ID：200903094380824736

固体撮像装置

発明者： 石渡 宏明 ,  山下 浩史 ,  山口 鉄也 ,  野崎 秀俊 ,  井原 久典 ,  田中 長孝 ,  江木 雄一郎 ,  織部 昌之 ,  遠藤 幸雄 ,  真鍋 宗平
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-344712
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129965
出願日： 2004年11月29日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】 熱雑音と暗電流雑音の発生しにくく、再生画面のS/Nが劣化しにくい固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 固体撮像装置が、第1導電型の半導体基板11と、基板11の内部に設けられた第2導電型の第1半導体領域13と、基板11の上で第1半導体領域13の上方に設けられたシリコン酸化膜52乃至54と、シリコン酸化膜の上に設けられたシリコン窒化膜55乃至57とを有し、第1半導体領域13の上方におけるシリコン酸化膜の膜厚T1B、T1R、T1Gとシリコン窒化膜の膜厚T2B、T2R、T2Gの合計が60nmより厚い。【選択図】 図28

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、 前記基板の内部に設けられた第2導電型の第1半導体領域と、 前記基板の上で前記第1半導体領域の上方に設けられたシリコン酸化膜と、 前記シリコン酸化膜の上に設けられたシリコン窒化膜とを有し、 前記第1半導体領域の上方における前記シリコン酸化膜の膜厚と前記シリコン窒化膜の膜厚の合計が60nmより厚いことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H04N5/335

FI (4件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U ,  H01L31/10 A

Fターム (31件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX03 ,  5C024CX32 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5C024HX40 ,  5C024HX41 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049QA03 ,  5F049RA02 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ13 ,  5F049TA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 分割フォトダイオード及び回路内蔵受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-235670   出願人：シャープ株式会社
• 固体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-235826   出願人：松下電子工業株式会社