特許

J-GLOBAL ID：200903094392341510

基材表面からの炭素の除去

発明者： アーサー・エドワード・ホルマー ,  マイケル・マーク・リットウィン ,  ケビン・ブルース・アルボー
出願人/特許権者： プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-092887
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032193
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 基材表面から基材表面を変質させることなく炭素物質を除去する方法の開発。【解決手段】 スチーム及び分子塩素ガスの雰囲気中で基材を加熱する。次の化学反応を使用する:2Cl2 +2H2 O+C→4HCl+CO2 加熱は200°C未満の温度で行われ、スチーム及び分子塩素ガスは1:1〜15:1の比率にある。ホトレジストレーザアブレーションと組合せ可。溜め3からの脱イオン水が源7からの不活性キャリヤガスと混合され、コイル9内で蒸発した水がキャリヤガスにより連行され、源4からの塩素ガスとブレンドされる。合流水蒸気/分子塩素ガス流れ15は炉2内の石英管1内に導入されウエハ16を処理する。

請求項（抜粋）：

基材表面から炭素を除去する方法であって、スチーム及び分子塩素ガスを含む雰囲気中で基材を加熱することを包含する炭素除去方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341

FI (3件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/30 572 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-183528
  
• レジストのアッシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-186008   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-161618   出願人：富士通株式会社