特許
J-GLOBAL ID：200903094392649220

窒化物半導体基板およびその製造方法

発明者：
小林 直樹

小林 直樹 について

, 
前田 就彦

前田 就彦 について

, 
小林 康之

小林 康之 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068110
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257166
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 基板表面の全面にわたって均一な低転位密度である窒化物半導体基板、およびその製造方法を提供する【解決手段】 サファイア基板1上にGaN層2を設け、その上にSiO<SB>2</SB>3で等価な3つの<11<U>2</U>0>方向に、開口部が正三角形になるように、2μm/8μmのラインとスペースからなるマスクストライプ4を形成する。マスクストライプ4による正三角形開口部にGaNを成長し、三角錐GaN成長層5を形成する。三角錐GaN成長層5上にレジストマスク6を形成し、マスクストライプ4とその下のGaN層2を削除し、レジストマスク6を削除して島状GaN層7を形成する。サファイア基板1上の全面にGaN成長層8を成長すると、三角錐を埋め込むように、横方向成長が促進され、約20μm成長すると、平坦になる。基板界面から垂直に延びる転位は、錐構造の斜面に到達すると曲がり表面に到達せず、低転位密度が実現する。
請求項（抜粋）：
(0001)面又は(0001)から数度傾斜した面方位を持つ基板上に島状の第一の窒化物層を有し、前記第一の窒化物層上に、前記第一の窒化物層の(0001)面の3つの等価な<11<U>2</U>0>(下線は上線の代用である)方向の辺と3つの等価な(1<U>1</U>01)(下線は上線の代用である)面を有する第二の窒化物層を有し、さらに前記第一、第二の窒化物層を覆う第三の窒化物層を有することを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323
Fターム (30件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077HA02 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045HA14 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (3件)

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