特許

J-GLOBAL ID：200903094412845005

導体通路上での分子構造の構築方法及び分子メモリマトリックス

発明者： クロンホルツ・シュテファン ,  カルトホイザー・ジルヴィア
出願人/特許権者： フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
代理人 (3件)： 江崎 光史 ,  奥村 義道 ,  鍛冶澤 實
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-545830
公開番号（公開出願番号）：特表2008-523633
出願日： 2005年11月30日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：

この発明は、導体通路上に分子の構造を構築する方法及び分子メモリマトリックスに関する。この発明にもとづく方法により、安価で簡単な手法により任意の数の分子メモリ素子の構造を目的通り構築して、それによりメモリマトリックスを分子レベルで準備することが初めて可能となる。

請求項（抜粋）：

導体通路上に分子の構造を構築する方法であって、 -構造化された導体通路(4)上に金属クラスタ(6)を組み込んだミセル(5)を配置する工程と、 -金属クラスタ(6)の周りからミセル(5)のポリマー鎖を除去する工程と、 -電気絶縁性の保護層(7)内に金属クラスタ(6)を組み入れる工程と、 -機能分子(8)のために金属クラスタ(6)を露出させる工程と、 -機能分子(8)を金属クラスタ(6)と結合させる工程と、 を有する方法。

IPC (4件)：

H01L 27/10 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 29/06

FI (4件)：

H01L27/10 451 ,  H01L21/28 B ,  H01L21/88 B ,  H01L29/06 601N

Fターム (40件)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104FF40 ,  4M104GG16 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ42 ,  5F033RR04 ,  5F033VV16 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX07 ,  5F033XX33 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083PR05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 結晶性超微粒子、複合材料、結晶性超微粒子の製造方法、逆ミセル、前駆体超微粒子内包逆ミセル、結晶性超微粒子内包逆ミセルおよび前駆体超微粒子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-319480   出願人：ソニー株式会社
• 金属微粒子配列シート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-303625   出願人：独立行政法人科学技術振興機構
• ナノスケールフィーチャを備えたテンプレートが形成されている構造体およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-132877   出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
• 特許第6773954号