金属微粒子配列シート

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：下田昭 , 赤尾謙一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-303625
公開番号（公開出願番号）：特開2006-088310
出願日： 2004年10月19日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】 10nm以下の金属ドットを配列させたシリコンウエハなど基板及びこのような基板を生産性よく形成させる手段を提供する。【解決手段】表面に、径が3〜15nmの略円形の疎水性又は親水性の領域を10〜50nmの間隔で多数有するミクロ相分離膜上の該略円形領域に、金属微粒子含有球状ミセルを配置させてなる金属微粒子配列シートである。この金属ドットを配列させた基板は、単一電子トランジスタや単一電子メモリ-のような単一電子トンネル果を利用した量子素子に用いることができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

表面に、径が3〜15nmの略円形の疎水性又は親水性の領域を10〜50nmの間隔で多数有するミクロ相分離膜上の該略円形領域に、金属微粒子含有球状ミセルを配置させてなる金属微粒子配列シートであって、該金属微粒子含有球状ミセルが、径が1〜5nmの金属微粒子を有機配位子で覆ったコアシェル型球状ミセルであり、前記ミクロ相分離膜上の略円形の領域が親水性の場合には親水性基、前記ミクロ相分離膜上の略円形の領域が疎水性の場合には疎水性基が外側に露出した球状ミセルである、金属微粒子配列シート。

IPC (6件)：

B82B 1/00 , B32B 5/16 , B32B 15/08 , B82B 3/00 , H01L 29/06 , H01L 29/66

FI (6件)：

B82B1/00 , B32B5/16 , B32B15/08 D , B82B3/00 , H01L29/06 601D , H01L29/66 S

Fターム (11件)：

4F100AB01A , 4F100AB25 , 4F100AK25A , 4F100AK54A , 4F100AL02A , 4F100AT00B , 4F100DE01A , 4F100GB41 , 4F100JA07A , 4F100JB05A , 4F100JB06A

引用特許：

出願人引用 (6件)

ブロック共重合体、及びミクロ相分離構造膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-315420 出願人：財団法人理工学振興会
微粒子膜、その製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-167034 出願人：松下電器産業株式会社
自己集積構造体
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-578202 出願人：ネオフォトニクス・コーポレイション

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審査官引用 (5件)

自己集積構造体
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-578202 出願人：ネオフォトニクス・コーポレイション
パターン形成材料、多孔質構造体の製造方法、パターン形成方法、電気化学セル、中空糸フィルター、多孔質カーボン構造体の製造方法、キャパシタの製造方法、および燃料電池の触媒層の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-169263 出願人：株式会社東芝
ブロック共重合体、及びミクロ相分離構造膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-315420 出願人：財団法人理工学振興会

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