特許
J-GLOBAL ID:200903094424635731
フラットパネルディスプレイのためのスペーサ構造体及びそれを操作するための方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大島 陽一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-506978
公開番号(公開出願番号):特表2002-515133
出願日: 1997年07月17日
公開日(公表日): 2002年05月21日
要約:
【要約】フラットパネルディスプレイ内のスペーサ壁上に蓄積される電荷を低減する方法及び構造体が提供される。1つの実施例では、電子放出素子を活性化する順序を変更して、電子放出素子がスペーサ(501、502、503)を不要なレベルにまで帯電させる前に、スペーサに隣接する電子放出素子が活性化されるようにする。別の実施例では、スペーサの表面上に配置されるフェース電極(501a、502a、503a)が、共通バス(504)に接続され、それにより任意の特定のスペーサ上に蓄積される電荷を分配する。さらに共通バス(504)がフラットパネルディスプレイのアクティブ領域の内側或いは外側の何れかに配置されるコンデンサ(1010)に接続され、それによりスペーサの充電時定数を増加させる。コンデンサはグランド或いは高電圧源(1011)に接続されることができる。別の実施例では、スペーサの充電時定数は、酸化アルミニウム、酸化クロム並びに酸化チタンを分散させるようにして高誘電率を有する材料からスペーサを形成することにより増加する。その材料においては酸化チタンはスペーサ材料の約4%からなる。
請求項(抜粋):
フェースプレート構造体、バックプレート構造体並びに前記フェースプレート構造体と前記バックプレート構造体との間に配置されるスペーサとを有するフラットパネルディスプレイ上に画素情報のフレームを表示するための方法であって、 前記スペーサの何れかの側において前記スペーサと隣接する前記フラットパネルディスプレイの一対のスペーサ隣接領域を選択する過程と、 前記スペーサ隣接領域に隣接し、活性化時に前記スペーサを帯電させる前記フラットパネルディスプレイの一対のスペーサ帯電領域を選択する過程と、 前記スペーサ隣接領域を活性化する過程と、 前記画素情報のフレームを表示するために前記スペーサ帯電領域を活性化する過程とを有することを特徴とする方法。
IPC (6件):
G09G 3/22
, G09G 3/20 670
, H01J 29/87
, H01J 29/92
, H01J 29/96
, H01J 31/12
FI (6件):
G09G 3/22 D
, G09G 3/20 670 E
, H01J 29/87
, H01J 29/92 Z
, H01J 29/96
, H01J 31/12 B
引用特許:
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