特許
J-GLOBAL ID：200903094448244296
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-354655
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186174
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 簡易に極めて高効率且つ効果的にドーパントが活性化された窒化ガリウム系化合物半導体層を有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体層に紫外線を照射することによって、ドーパントと水素との結合を分離してドーパントを効率的に活性化することができる。同時に、ドナーとして作用し、p型層を補償している窒化ガリウム系化合物半導体層中の空孔を減少させ、実効的なキャリア濃度を増加させることができる。また、紫外線の照射に際しては、従来よりも低い50°C〜400°Cの温度範囲において加熱すれば十分に活性化を図ることができる。また、紫外線の中心波長は380nm以下であることが望ましく、さらに、窒素雰囲気とすることが望ましい。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上にエピタキシャル成長してなる少なくとも1層の窒化ガリウム系化合物半導体層とを備えた半導体装置であって、前記窒化ガリウム系化合物半導体層の少なくともいずれかは、紫外線を照射することによりドーパントが活性化され、その照射方向に沿って濃度が減少するキャリア濃度分布を有するものとして構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
