半導体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤原英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-272023
公開番号（公開出願番号）：特開2003-085978
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 CPUに接続されたアドレス信号線をデータ信号線として切替利用することで高速書き込み又は誤り訂正を行う半導体メモリ。【解決手段】アドレス空間を指定するアドレス信号線とデータの入出力を行うデータ信号線とを独立に有する処理装置に接続された半導体メモリであって、半導体メモリは、アドレス信号線をデータ信号線として動作し得るように切り替える信号線切替機能105と、データ幅を切り替えるデータ幅切替機能112と、アドレスを自動生成するアドレス生成機能106,107,110と、を備え、処理装置によるデータ書き込み時に、データ信号線を通したデータ取り込みに加えて、信号線切替機能を用いることによってアドレス信号線を通してデータを取り込む半導体メモリ。アドレス信号線から取り込むデータを誤り訂正用データとして使用することでデータ信号線のデータ誤り訂正を行うこと。

請求項（抜粋）：

アドレス空間を指定するアドレス信号線とデータの入出力を行うデータ信号線とを独立に有する処理装置に接続された半導体メモリであって、前記半導体メモリは、前記アドレス信号線をデータ信号線として動作し得るように切り替える信号線切替機能と、データ幅を切り替えるデータ幅切替機能と、アドレスを自動生成するアドレス生成機能と、を備え、前記処理装置によるデータ書き込み時に、前記データ信号線を通したデータ取り込みに加えて、前記信号線切替機能を用いることによって前記アドレス信号線を通してデータを取り込むことを特徴とする半導体メモリ。

IPC (4件)：

G11C 11/413 , G11C 11/401 , G11C 11/408 , G11C 29/00 631

FI (5件)：

G11C 29/00 631 D , G11C 11/34 303 , G11C 11/34 341 A , G11C 11/34 371 C , G11C 11/34 354 B

Fターム (23件)：

5B015HH03 , 5B015JJ11 , 5B015JJ21 , 5B015KB43 , 5B015NN09 , 5L106AA01 , 5L106AA02 , 5L106BB12 , 5L106DD06 , 5L106FF05 , 5L106GG05 , 5M024AA40 , 5M024AA49 , 5M024AA50 , 5M024BB05 , 5M024BB34 , 5M024BB35 , 5M024DD33 , 5M024JJ30 , 5M024MM09 , 5M024PP01 , 5M024PP07 , 5M024PP10

引用特許：

審査官引用 (4件)

フレキシブルバス型ICメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-085713 出願人：松下電器産業株式会社
特開平4-324191
特開平4-324191

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