特許

J-GLOBAL ID：200903094515182403

半導体ウェハの化学機械的研磨装置および化学機械的研磨方法

発明者： 八木澤 幸樹
出願人/特許権者： 日鉄セミコンダクター株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061089
公開番号（公開出願番号）：特開平9-254024
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハ表面を均一に平坦化し得る化学機械的研磨装置および研磨方法を提供する。【解決手段】 本化学機械的研磨装置6は、ウェハWを保持するウェハキャリア7と、ウェハキャリア7のウェハ保持面に対向配置され回転可能とされた研磨プラテン9と、研磨プラテン9に装着された円形の研磨布10を有しており、研磨布10がウェハWの直径よりも小さい直径を有し、研磨プラテン9がウェハWの研磨面に沿って水平移動可能とされている。また、研磨プラテン9の水平移動速度がウェハ周辺部より中央部で遅くなるように水平移動速度を制御する制御部15を有している。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハを保持するウェハキャリアと、該ウェハキャリアのウェハ保持面に対向配置され回転可能とされた研磨プラテンと、該研磨プラテンに装着され前記半導体ウェハを研磨する円形の研磨布、を有するとともに、該研磨布が前記半導体ウェハの直径よりも小さい直径を有し、前記研磨プラテンが前記半導体ウェハの研磨面に沿って水平移動可能とされたことを特徴とする半導体ウェハの化学機械的研磨装置。

IPC (3件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

B24B 37/00 F ,  H01L 21/304 321 E ,  H01L 21/304 321 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体基板の平坦化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-037627   出願人：松下電器産業株式会社
• ウェーハ研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-232890   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭64-034656
  
• 特開昭64-034656