特許
J-GLOBAL ID:200903094518255584
アクティブマトリクス型液晶表示装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
花輪 義男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-347711
公開番号(公開出願番号):特開2002-151699
出願日: 2000年11月15日
公開日(公表日): 2002年05月24日
要約:
【要約】【課題】 樹脂からなる平坦化膜上に画素電極を設けた構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、高開口率を維持して、画素電極とデータ信号ラインとの間の寄生容量Cdsを小さくする。【解決手段】 補助容量ライン6のデータ信号ライン3と交差する部分からは延出部6aが列方向に延びるデータ信号ライン3の配列方向に延出されている。延出部6aの幅はデータ信号ライン3の幅よりも大きくなっている。そして、画素電極5の左右辺部は延出部6aと重ね合わされているが、データ信号ライン3とは重ね合わされていない。したがって、画素電極5とデータ信号ライン3との間の寄生容量Cdsを小さくすることができる。また、補助容量ライン6からの延出部6aに遮光膜としての機能を持たせると、開口率を高くすることができる。
請求項(抜粋):
一対の走査信号ラインと一対のデータ信号ライン間に画素電極および該画素電極に接続されたスイッチング素子がマトリクス状に配列され、前記走査信号ラインと平行に形成され且つ前記データ信号ラインと平行な延出部を有する補助容量ラインが隣接する画素電極間に形成されたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記データ信号ラインの幅を前記隣接する画素電極間の間隔と等しいかそれよりも小さくし、前記データ信号ライン上に前記スイッチング素子を覆う層間絶縁膜を形成すると共に、前記補助容量ラインを前記データ信号ライン下に絶縁膜を介して形成し、且つ、前記補助容量ラインの延出部の幅を前記データ信号ラインよりも幅広く形成したことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
IPC (4件):
H01L 29/786
, G02F 1/1343
, G02F 1/1368
, G09F 9/30 338
FI (4件):
G02F 1/1343
, G09F 9/30 338
, H01L 29/78 612 C
, G02F 1/136 500
Fターム (58件):
2H092JA26
, 2H092JA29
, 2H092JA38
, 2H092JA42
, 2H092JA44
, 2H092JB13
, 2H092JB23
, 2H092JB32
, 2H092JB33
, 2H092JB38
, 2H092JB51
, 2H092JB58
, 2H092JB63
, 2H092JB69
, 2H092KA05
, 2H092KA07
, 2H092KB25
, 2H092MA05
, 2H092MA08
, 2H092MA14
, 2H092MA15
, 2H092MA16
, 2H092MA18
, 2H092MA19
, 2H092MA20
, 2H092MA27
, 2H092MA35
, 2H092MA37
, 2H092MA41
, 2H092NA07
, 5C094AA10
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094EA04
, 5C094EA07
, 5C094ED15
, 5F110AA02
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE37
, 5F110FF03
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110GG35
, 5F110HK04
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK21
, 5F110HL07
, 5F110HM19
, 5F110NN02
, 5F110NN12
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN72
, 5F110NN73
引用特許:
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