特許
J-GLOBAL ID：200903094534352042
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-274844
公開番号（公開出願番号）：特開平9-091968
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】リストアワード活性化時の動作時間を短縮することと、これに伴うデバイス面積の増大をできるだけ抑える半導体記憶装置の提供。【解決手段】センスワードの活性化時に選択されたXデコーダ回路のセルフブート節点のHigh電位をリストアワード活性化時まで保持し、Xデコーダのセルフブート節点に保持回路を設けてセンスワードのXアドレスをリストアワード活性化時まで各バンクで保持させる。
請求項（抜粋）：
複数バンク構成とされ、メモリセルのデータをセンスするために活性化したワード線(「センスワード」という)をセンス終了後に一度非活性状態とし、センスアンプ非活性化時に再度ワード線(「リストアワード」という、但し、各バンク単位で直前のセンスワードと同一アドレスのワード線)を活性化してセンスアンプのデータをメモリセルに書込む動作を行う半導体記憶装置において、内部のセルフブート節点に保持回路を備え、前記センスワードの活性化時から前記リストアワードの活性化時まで、各バンク毎にXアドレスを保持することを特徴とする半導体記憶装置。
引用特許：
前のページに戻る
