特許

J-GLOBAL ID：200903094562687726

発光素子

発明者： 矢田 茂郎 ,  綾 洋一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-287472
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103407
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：

【課題】酸化亜鉛系半導体からなる発光層を有する発光素子において、該発光層を含むpi接合またはpn接合の接合界面の格子整合性を向上させることによって、発光特性を向上させた発光素子を提供する。【解決手段】酸化亜鉛系半導体からなる発光層と、酸化亜鉛系以外の半導体材料からなるp型層と、前記発光層と前記p型層との間に設けられた、p型ドーパントを含む酸化亜鉛系半導体からなる中間層と、を有することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛系半導体からなる発光層と、酸化亜鉛系以外の半導体材料からなるp型層と、前記発光層と前記p型層との間に設けられた、p型ドーパントを含む酸化亜鉛系半導体からなる中間層と、を有することを特徴とする発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 D

Fターム (5件)：

5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA46

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-070165   出願人：科学技術振興事業団, 丸田秀昭, 太田裕道

審査官引用 (2件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-070165   出願人：科学技術振興事業団, 丸田秀昭, 太田裕道
• 発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-382145   出願人：信越半導体株式会社