特許
J-GLOBAL ID：200903000255134880
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-070165
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273400
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 青色系の半導体発光素子に適したp形層を実現させ、さらにはその結晶性を向上させることにより、青色系の発光材料として適したZnO系化合物などの半導体層を発光層部に用いて、発光特性の優れた青色系のLEDやLDなどを提供する。【解決手段】 基板1の一主面上に、n形クラッド層4、活性層5およびp形クラッド層6を少なくとも具備する発光層形成部8が設けられている。そして、活性層5は基板1の一主面に垂直方向にc軸配向しており、p形クラッド層6がNiOからなっている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板の一主面上に設けられ、n形クラッド層、活性層およびp形クラッド層を少なくとも具備する発光層形成部とを有し、前記活性層が前記基板の一主面に垂直方向にc軸配向しており、前記p形クラッド層がNiOからなる半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 D
, H01S 5/327
5F041AA11
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA41
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA66
, 5F073AA74
, 5F073CA22
, 5F073CA24
, 5F073CB19
, 5F073DA06
