情報記録再生方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松浦憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-121785
公開番号（公開出願番号）：特開2004-326538
出願日： 2003年04月25日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】データの管理領域の情報のように頻繁に変更される情報の高速の書き換えを実現する。【解決手段】メモリカードの記録領域を物理的に小さいページに区分けするとともに、これらのページを複数ページまとめた物理的なブロックに区分けし、前記ページに記録した情報の消去は、該ページを含むブロック単位で行う情報記録再生方法において、頻繁に情報が変更されるFAT領域を、あるブロックに割り当てる際には、そのブロックの一部のページにFAT領域を割り当てるとともに、同一ブロックの他のページは未使用にも関わらず使用禁止にする。これによりFAT領域の変更時に読み書きするデータ量を少なくし、FAT領域の内容の書き換えの高速化を図る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

記録媒体の記録領域を物理的に小さいページに区分けするとともに、これらのページを複数ページまとめた物理的なブロックに区分けし、前記ページに記録した情報の消去は、該ページを含むブロック単位で行う情報記録再生方法において、頻繁に情報が変更される特定の領域を前記ブロックに割り当てる際に、該ブロックの一部のページに前記特定の領域を割り当て、同一ブロック内の他のページを未使用にも関わらず使用禁止にしたことを特徴とする情報記録再生方法。

IPC (1件)：

G06F12/00

FI (2件)：

G06F12/00 542L , G06F12/00 542D

Fターム (2件)：

5B082EA01 , 5B082JA06

引用特許：

審査官引用 (4件)

ファイル管理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-256019 出願人：三菱電機株式会社
データ処理システム、ブロック消去型記憶媒体、及びプログラム記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-208976 出願人：東京エレクトロン株式会社
不揮発性半導体メモリの情報記憶方法および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-306844 出願人：日立デバイスエンジニアリング株式会社

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