特許
J-GLOBAL ID：200903058515980230
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095038
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283843
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 従来の高出力半導体レーザでは、定光出力連続動作に伴って動作電流の急激な増加が生じ、十分な寿命時間を有する高信頼な半導体レーザを得ることができなかった。【解決手段】 半導体レーザの光出射面の保護膜として少なくともその一部に窒化物層を含む絶縁物を形成する。保護膜形成前に自然酸化膜を除去すると更に有効である。【効果】 本発明により、高出力半導体レーザにおいて長寿命化、高信頼化を容易な方法で実現し、歩留まり向上、低コスト化を実現した。
請求項（抜粋）：
半導体レーザに於て光出射面の保護膜として、該光出射面である半導体表面に隣接して窒化物からなる絶縁膜が形成され、更に該窒化物からなる絶縁膜上に窒化物以外の絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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