スパッタリング装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-065501
公開番号（公開出願番号）：特開2001-323371
出願日： 2001年03月08日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】自公転式の基板ホルダー装置において、公転軌道の直径Dとターゲット・基板間距離Hとの関係を所定の関係に定めることにより、ターゲット・サイズをあまり大きくせずに、そして、ターゲット・基板間距離をあまり大きくせずに、±0.5%以下のきわめて良好な膜厚分布を得る。【解決手段】円形のターゲット10の有効直径Lを160mmとし、基板12の直径dを100mmとしたときに、公転軌道の直径Dを210mmに、ターゲット・基板間距離Hを107mmに設定すると、基板の面内膜厚分布を±0.5%以下にできる。このとき、公転軌道上に5枚の基板を配置できる。基板の直径dを125mmにしたときは、D=250mm、H=137mmに設定すればよい。基板の直径dを150mmにしたときは、D=280mm、H=160mmに設定すればよい。いずれの場合も、公転軌道上に5枚の基板を配置できる。

請求項（抜粋）：

円形のターゲットと自公転式の基板ホルダー装置とを備えるスパッタリング装置において、次の特徴を備えるスパッタリング装置。(a)前記自公転式の基板ホルダー装置は5個の円形の基板ホルダーを備えていて、前記各基板ホルダーはその中心が円形の公転軌道を通過するように公転し、かつ、前記各基板ホルダーは自己の中心の回りを自転する。(b)前記5個の基板ホルダーは前記公転軌道に沿って等間隔に配置されている。(c)前記各基板ホルダーの基板保持面は前記ターゲットの表面に平行である。(d)前記ターゲットに垂直な方向から見て、前記公転軌道の中心位置は前記ターゲットの中心位置に一致している。(e)前記ターゲットの有効直径Lは100〜220mmの範囲内である。(f)前記各基板ホルダーは、直径100mmの概略円形の基板を1枚保持できる。(g)ターゲット・基板間距離をH(単位はmm)、前記公転軌道の直径をD(単位はmm)として、直交する二つの座標軸にHとDをとった座標空間を考えると、DとHからなる座標点は次の(イ)〜(ハ)の3本の直線で囲まれる領域内に存在する。(イ)D=Aa×H+Ab(ロ)D=Ba×H+Bb(ハ)H=160(h)前記(イ)の直線における傾きAa及び切片Ab並びに前記(ロ)の直線における傾きBa及び切片Bbは、前記ターゲットの有効直径L(単位はmm)を使って、次の(ニ)〜(ト)によって算出する。(ニ)Aa=-3.340E-5L2+7.022E-3L+6.315E-1(ホ)Ab=7.885E-3L2-1.465L+1.475E+2(ヘ)Ba=-2.913E-5L2+5.062E-3L+1.236(ト)Bb=8.886E-3L2-1.645L+1.137E+2

IPC (3件)：

C23C 14/50 , C23C 14/34 , H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 14/50 H , C23C 14/34 J , H01L 21/285 S

引用特許：

出願人引用 (5件)

スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-109553 出願人：株式会社芝浦製作所
光学薄膜の製造装置および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-191269 出願人：オリンパス光学工業株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-235357 出願人：東京エレクトロン株式会社

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審査官引用 (5件)

スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-109553 出願人：株式会社芝浦製作所
光学薄膜の製造装置および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-191269 出願人：オリンパス光学工業株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-235357 出願人：東京エレクトロン株式会社

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