特許
J-GLOBAL ID:200903094594435850

半導体ウエハの補強プレート

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡部 敏彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-030775
公開番号(公開出願番号):特開2003-234260
出願日: 2002年02月07日
公開日(公表日): 2003年08月22日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、現在使用している半導体製造装置をそのまま用いることができ、ウエハの冷却効率を低下させることなく、製造時のわずかな外力による破損を防止することができる半導体ウエハの補強プレートを提供する。【解決手段】 本半導体ウエハは、シリコン(Si)等から成るウエハ本体2と、所定の厚みを有するプレート状の誘電体から成り、ウエハ本体2に接着してウエハ本体2を補強する補強プレート3とで構成され、該補強プレート3が誘電体の物理的強度と共に、誘電率、及び熱伝導率により決定される。
請求項(抜粋):
薄肉化された半導体ウエハを補強する補強プレートにおいて、所定の厚みを有するプレート状の誘電体から成り、前記半導体ウエハの回路パターンが形成される面の反対側の面に接着されることを特徴とする半導体ウエハの補強プレート。
引用特許:
審査官引用 (4件)
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