特許

J-GLOBAL ID：200903094606643217

絶縁基板及び半導体装置

発明者： 奥富 功 ,  石渡 裕 ,  山本 敦史 ,  草野 貴史 ,  西村 隆宣 ,  田中 明 ,  荒木 浩二 ,  福吉 寛
出願人/特許権者： 芝府エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-001274
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200865
出願日： 1999年01月06日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 放熱しやすく温度の上がりにくい半導体装置を提供する。【解決手段】 単数又は複数の半導体チップ1が接合され下面が下に凸である絶縁基板4が、絶縁基板4の周囲に位置しヒートシンク13に螺着する支持フレーム17により絶縁基板4の周辺部を圧接されることで、ヒートシンク13に密着し、熱抵抗が低減する。

請求項（抜粋）：

上部導電層、絶縁性セラミックスと下部導電層の積層構造を有し、前記下部導電層の下面が下に凸であることを特徴とする絶縁基板。

IPC (2件)：

H01L 23/40 ,  H01L 23/373

FI (2件)：

H01L 23/40 Z ,  H01L 23/36 M

Fターム (6件)：

5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BC03 ,  5F036BC06 ,  5F036BD13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• セラミックス基板及びその用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-093238   出願人：電気化学工業株式会社
• 酸化物セラミックス基板及びその用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-145222   出願人：電気化学工業株式会社
• 半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-314872   出願人：株式会社日立製作所