特許
J-GLOBAL ID：200903094658582933

放射線検出器および放射線撮像装置

発明者：
徳田 敏

徳田 敏 について

, 
佐藤 敏幸

佐藤 敏幸 について


出願人/特許権者：
株式会社島津製作所

株式会社島津製作所 について


代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-051862
公開番号（公開出願番号）：特開2001-242255
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】大面積の放射線検出器および放射線撮像装置を提供する。【課題】【解決手段】 この発明の放射線検出器1の場合、CdTeの粉末材料の焼結体を用いて近接昇華法により多結晶のCdTe膜5aが形成される。すなわち、このCdTe膜5aは短時間で放射線を捕捉するのに十分な膜厚と、支持基板2のサイズに応じた大面積の膜として形成される。
請求項（抜粋）：
バイアス電極と検出電極との間に、検出対象の放射線に感応して電子-正孔対であるキャリアを生成する半導体膜が設けられ、前記バイアス電極と検出電極との間にバイアス電圧を印加することにより、前記半導体膜内で生成されたキャリアを前記検出電極から取り出すように構成された放射線検出器において、前記半導体膜は、CdTe(テルル化カドミウム)からなる多結晶膜であることを特徴とする放射線検出器。
IPC (6件)：
G01T 1/24 ,  G01T 1/29 ,  G01T 7/00 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09
FI (6件)：
G01T 1/24 ,  G01T 1/29 D ,  G01T 7/00 A ,  H01L 27/14 C ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A
Fターム (36件)：
2G088EE01 ,  2G088EE27 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088FF14 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ04 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ32 ,  2G088JJ37 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA15 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FB08 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB20 ,  4M118GA02 ,  4M118GA10 ,  5F088AA11 ,  5F088AB09 ,  5F088BA20 ,  5F088BB07 ,  5F088CB05 ,  5F088DA05 ,  5F088EA02 ,  5F088EA08 ,  5F088KA03 ,  5F088KA08 ,  5F088LA07
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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